公开(公告)号：CN106548976A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610820102.7

申请日：2016-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢佑哲 ,  韩元奎 ,  吴赫祥 ,  李来寅 ,  韩炅润

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了形成具有介电层的半导体装置的方法及相关设备和系统。在基底上形成层间绝缘层。在层间绝缘层中形成开口。通过用微波辐射具有开口的层间绝缘层来执行脱气工艺。通过用UV光辐射具有开口的层间绝缘层来执行K值恢复工艺。在开口中形成导电层。将脱气工艺和K值恢复工艺作为原位工艺来执行。

公开(公告)号：CN106548976B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201610820102.7

申请日：2016-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢佑哲 ,  韩元奎 ,  吴赫祥 ,  李来寅 ,  韩炅润

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了形成具有介电层的半导体装置的方法及相关设备和系统。在基底上形成层间绝缘层。在层间绝缘层中形成开口。通过用微波辐射具有开口的层间绝缘层来执行脱气工艺。通过用UV光辐射具有开口的层间绝缘层来执行K值恢复工艺。在开口中形成导电层。将脱气工艺和K值恢复工艺作为原位工艺来执行。