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发明公开
体互补金属氧化物半导体射频开关审中-公开

公开(公告)号：CN118554929A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410021714.4

申请日：2024-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈颖 , 郭哲均 , T·常

IPC: H03K17/16 , H03K17/567

Abstract: 提供了一种单刀单掷(SPST)射频(RF)开关，其包括串联堆叠的一个或多个开关，以及在一个或多个开关之前的串联设置在SPST RF开关的输入侧的第一电容器。SPST RF开关还包括并联设置在一个或多个开关两端的第二电容器，以及在一个或多个开关之后的串联设置在SPST RF开关的输出侧的电感器。

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