公开(公告)号：CN1117193A

公开(公告)日：1996-02-21

申请号：CN95103348.4

申请日：1995-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李城秀 ,  金镇棋

IPC: G11C11/418

CPC classification number: G11C29/785 ,  G11C29/24

Abstract: 本发明涉及修复半导体存储器器件中缺陷的方法和电路。电路包括与若干电保险丝并联的充电节点；输出有缺陷地址的存储信号的装置；根据存储信号向充电节点提供电流的装置；根据充电节点的逻辑电平输出冗余块驱动信号以便替换有缺陷地址的冗余传感放大器；以及控制器，用于对从所述存储器器件外部提供的地址信号解码，于是在被选择的保险丝中形成一个电流通路，保险丝被从充电节点提供的电流烧断，控制器由有缺陷地址的存储信号驱动。

公开(公告)号：CN1095171C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN95117154.2

申请日：1995-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇棋 ,  林亨圭 ,  李城秀

IPC: G11C14/00

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/30

Abstract: 在非易失性半导体存储器中的自动编程电压发生器，包括产生编程电压的高压发生器，用于检测每当所选择的存储器单元未被成功地编程时，在预定的电压范围内，顺序地增加编程电压的电平的微调电路，用于将所检测的电压电平与参考电平比较，然后产生比较信号的比较电路，和用于响应比较信号起动高压发生器的高压发生控制电路。

公开(公告)号：CN1037721C

公开(公告)日：1998-03-11

申请号：CN95103348.4

申请日：1995-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李城秀 ,  金镇棋

IPC: G11C11/407 ,  G11C11/40

CPC classification number: G11C29/785 ,  G11C29/24

Abstract: 本发明涉及修复半导体存储器器件中缺陷的方法和电路。电路包括与若干电保险丝并联的充电节点；输出有缺陷地址的存储信号的装置；根据存储信号向充电节点提供电流的装置；根据充电节点的逻辑电平输出冗余块驱动信号以便替换有缺陷地址的冗余传感放大器；以及控制器，用于对从所述存储器器件外部提供的地址信号解码，于是在被选择的保险丝中形成一个电流通路，保险丝被从充电节点提供的电流烧断，控制器由有缺陷地址的存储信号驱动。

公开(公告)号：CN1139276A

公开(公告)日：1997-01-01

申请号：CN95117154.2

申请日：1995-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇棋 ,  林亨圭 ,  李城秀

IPC: G11C14/00

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/30

Abstract: 在非易失性半导体存储器中的自动编程电压发生器，包括产生编程电压的高压发生器，用于检测每当所选择的存储器单元未被成功地编程时，在预定的电压范围内，顺序地增加编程电压的电平的微调电路，用于将所检测的电压电平与参考电平比较，然后产生比较信号的比较电路，和用于响应比较信号起动高压发生器的高压发生控制电路。