公开(公告)号：CN117327120A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310287343.X

申请日：2023-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金煌奭 ,  朴商浩 ,  闵珉植 ,  裵惠珍 ,  田顺玉 ,  崔惠成 ,  姜昊锡 ,  金锺秀 ,  元重喜 ,  崔准

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H10K50/12 ,  H10K85/30

Abstract: 提供了一种有机金属化合物、有机发光器件和电子设备。所述有机金属化合物由式1表示：式1其中，M是过渡金属，X11是N或C(R11)，X12是N或C(R12)，X11和X12中的至少一个是N，环CY2、环CY31、环CY32和环CY4均独立地为C3‑C60碳环基或C1‑C60杂环基，Y2至Y4均独立地为C或N，A2至A4均独立地为化学键、O或S，a1至a3均独立地为0至3的整数，并且其余的取代基如具体描述中所提供的。

公开(公告)号：CN114678377A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111580785.0

申请日：2021-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李海旻 ,  金锺秀 ,  宋炫周 ,  郑周嬿

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种半导体器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交替堆叠在下结构上的层间绝缘层和栅极层；以及穿透堆叠结构的存储器竖直结构、分离结构和支撑竖直结构，其中栅极层包括下栅极层、上栅极层和中间栅极层，其中分离结构包括第一分离结构，其中支撑竖直结构包括穿透下栅极层、中间栅极层和上栅极层且与第一分离结构相邻的第一内支撑竖直结构，其中第一内支撑竖直结构的一部分在与上栅极层相同的水平上直接连接到第一分离结构，以及其中第一内支撑竖直结构的一部分在与下栅极层相同的水平上与第一分离结构间隔开。

公开(公告)号：CN114446991A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110850733.4

申请日：2021-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高圣才 ,  金锺秀

IPC: H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体装置和一种电子系统。所述半导体装置包括：堆叠结构，包括交替堆叠的模制层和水平导电层；沟道结构，在堆叠结构中竖直地延伸；柱结构，在堆叠结构中竖直地延伸；以及接触插塞，连接到水平导电层中的对应的水平导电层。柱结构包括：柱，延伸穿过水平导电层；以及延伸部，从柱的侧表面突出。每个延伸部与水平导电层中的对应的水平导电层水平地对齐。