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公开(公告)号：CN106504791A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610791554.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 如下提供擦除包括多个NAND串的非易失性存储装置的方法。施加第一电压到每个字线达相应的有效擦除运行时间。对连接到字线中的每一个的存储单元执行擦除操作达相应的有效擦除运行时间。在相应的擦除禁止时间逝去后，施加第二电压到字线中的至少一些字线中的每一个达相应的有效擦除运行时间。所述至少一些字线中的每一个的相应的有效擦除运行时间和相应的擦除禁止时间之和基本上等于在其期间使用第一电压和比第一电压高的第二电压执行擦除操作的擦除间隔。字线堆叠在衬底上。
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公开(公告)号：CN105321572B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201510388394.7
申请日：2015-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储设备的读取方法，包括：基于存储编程时间根据时间戳表格以及指示由于编程经过时间所致的读取电平偏移的时间‑读取电平查找表来执行第一读操作；根据第一读操作的结果确定是否调整时间‑读取电平查找表；由于确定需要调整时间‑读取电平查找表的结果，通过谷搜索操作调整时间‑读取电平查找表；以及基于时间戳表格和调整的时间‑读取电平查找表执行第二读操作。
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公开(公告)号：CN106486166A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610708102.8
申请日：2016-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个NAND串，每个NAND串包括被垂直堆叠在衬底上的分别连接到多个字线的多个存储器单元；以及控制逻辑，被配置为生成用于所述NAND串中的第一NAND串的存储器单元的预编程控制信号，以使得在擦除第一NAND串的存储器单元之前，施加到耦合到第一NAND串的相应存储器单元的字线的预编程电压基于相应存储器单元的操作特性而变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105321572A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510388394.7
申请日：2015-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种存储设备的读取方法，包括：基于存储编程时间根据时间戳表格以及指示由于编程经过时间所致的读取电平偏移的时间-读取电平查找表来执行第一读操作；根据第一读操作的结果确定是否调整时间-读取电平查找表；由于确定需要调整时间-读取电平查找表的结果，通过谷搜索操作调整时间-读取电平查找表；以及基于时间戳表格和调整的时间-读取电平查找表执行第二读操作。
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公开(公告)号：CN111128283B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201911139505.5
申请日：2016-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个NAND串，每个NAND串包括被垂直堆叠在衬底上的分别连接到多个字线的多个存储器单元；以及控制逻辑，被配置为生成用于所述NAND串中的第一NAND串的存储器单元的预编程控制信号，以使得在擦除第一NAND串的存储器单元之前，施加到耦合到第一NAND串的相应存储器单元的字线的预编程电压基于相应存储器单元的操作特性而变化。
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公开(公告)号：CN111128283A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911139505.5
申请日：2016-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个NAND串，每个NAND串包括被垂直堆叠在衬底上的分别连接到多个字线的多个存储器单元；以及控制逻辑，被配置为生成用于所述NAND串中的第一NAND串的存储器单元的预编程控制信号，以使得在擦除第一NAND串的存储器单元之前，施加到耦合到第一NAND串的相应存储器单元的字线的预编程电压基于相应存储器单元的操作特性而变化。
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公开(公告)号：CN106486166B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201610708102.8
申请日：2016-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个NAND串，每个NAND串包括被垂直堆叠在衬底上的分别连接到多个字线的多个存储器单元；以及控制逻辑，被配置为生成用于所述NAND串中的第一NAND串的存储器单元的预编程控制信号，以使得在擦除第一NAND串的存储器单元之前，施加到耦合到第一NAND串的相应存储器单元的字线的预编程电压基于相应存储器单元的操作特性而变化。
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公开(公告)号：CN106504791B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201610791554.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 如下提供擦除包括多个NAND串的非易失性存储装置的方法。施加第一电压到每个字线达相应的有效擦除运行时间。对连接到字线中的每一个的存储单元执行擦除操作达相应的有效擦除运行时间。在相应的擦除禁止时间逝去后，施加第二电压到字线中的至少一些字线中的每一个达相应的有效擦除运行时间。所述至少一些字线中的每一个的相应的有效擦除运行时间和相应的擦除禁止时间之和基本上等于在其期间使用第一电压和比第一电压高的第二电压执行擦除操作的擦除间隔。字线堆叠在衬底上。
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