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公开(公告)号：CN1412900A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02140960.9
申请日：2002-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/227 , H01S5/2206 , H01S5/2213 , H01S5/2272 , H01S5/32341
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光二极管及其制造方法。该半导体激光二极管包括基材，形成于基材两侧的掩膜，形成于掩膜之间的基材上的发光层，分别形成于掩膜上的阻流层，分别形成于基材底表面和发光层顶表面的第一和第二电极。发光层和阻流层通过单次生长同时形成，并且阻流层将电流和光限制在发光层的横向上。由此，可以简化半导体激光二极管的制造方法，并且可以降低激光振荡的阈值电流。
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