公开(公告)号：CN118159021A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311625804.6

申请日：2023-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金埈宽 ,  金东佑 ,  金汶濬 ,  裵温柔 ,  慎镛珍 ,  禹庆敏

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包含第一浓度的氘；有源图案，所述有源图案设置在所述衬底上并在第一水平方向上延伸；栅电极，所述栅电极设置在所述有源图案上并在不同于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源图案和所述栅电极之间，所述栅极绝缘层包含第二浓度的氘；第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层设置在所述栅电极上；第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层设置在所述第一层间绝缘层上；以及布线图案，所述布线图案设置在所述第二层间绝缘层内部，所述布线图案包含低于所述第一浓度的第三浓度的氘，其中所述第一浓度至所述第三浓度中的每一者是相同单位体积中包含的氘原子的浓度。

公开(公告)号：CN115241191A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202111505121.8

申请日：2021-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金陈燮 ,  金庆希 ,  金汶濬 ,  金埈宽 ,  卢佑哲

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元阵列区域和外围电路区域；电容器，在基底的单元阵列区域上；外围晶体管，在基底的外围电路区域上；第一上层间绝缘层，在电容器和外围晶体管上；第一上接触件，电连接到外围晶体管中的至少一个，第一上接触件穿透第一上层间绝缘层；第一上互连线，设置在第一上层间绝缘层上并且电连接到第一上接触件；第二上层间绝缘层，覆盖第一上互连线；以及第一阻挡层，在第一上层间绝缘层与第二上层间绝缘层之间。在第一上互连线与第一上层间绝缘层之间不存在第一阻挡层。

公开(公告)号：CN112864166B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202011344617.7

申请日：2020-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩太钟 ,  高在康 ,  金汶濬 ,  金须钟 ,  李承宪

IPC: H10B43/50 ,  H10B43/27

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：基板，包括单元阵列区域以及提供在单元阵列区域的端部处的连接区域；电极结构，从单元阵列区域延伸到连接区域，该电极结构包括顺序地堆叠在基板上的电极；提供在电极结构上的上绝缘层；提供在上绝缘层中并沿着电极延伸的第一水平绝缘层；以及提供在连接区域上以穿透上绝缘层和第一水平绝缘层的第一接触插塞。第一水平绝缘层可以包括具有比上绝缘层更好的耐蚀刻性能的材料。

公开(公告)号：CN118119180A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311589201.5

申请日：2023-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎镛珍 ,  金东佑 ,  金汶濬 ,  金埈宽 ,  裵温柔 ,  禹庆敏

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有单元区域和围绕单元区域的外围区域；下电极，在衬底的单元区域上沿竖直方向延伸；上电极，围绕下电极的侧壁和顶表面；电容器介电层，设置在下电极和上电极之间；第一阻挡层，设置在上电极上，第一阻挡层与上电极的侧壁和顶表面中的每一个接触；第一层间绝缘层，覆盖第一阻挡层，第一层间绝缘层包括与第一阻挡层的材料不同的材料；以及第一接触部，在竖直方向上贯穿第一阻挡层和第一层间绝缘层，第一接触部连接到上电极。

公开(公告)号：CN115732465A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210862274.6

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆希 ,  金陈燮 ,  金汶濬 ,  金埈宽

IPC: H01L23/50

Abstract: 提供了具有设置有保护层的布线的半导体装置。所述半导体装置包括：下结构，包括器件和下布线结构；绝缘层，设置在下结构上；过孔，穿透绝缘层；布线图案，在绝缘层和过孔上；以及氧化硅层，覆盖布线图案，并且包括氢，其中，布线图案包括第一导电层、第二导电层、上表面保护层和侧表面保护层，其中，第二导电层在第一导电层上，其中，上表面保护层覆盖第二导电层的上表面，并且侧表面保护层覆盖第一导电层的侧表面和第二导电层的侧表面，并且其中，上表面保护层和侧表面保护层中的每个包括具有比第二导电层的金属材料的活化能高的活化能的金属材料。

公开(公告)号：CN112864166A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011344617.7

申请日：2020-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩太钟 ,  高在康 ,  金汶濬 ,  金须钟 ,  李承宪

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件。该器件可以包括：基板，包括单元阵列区域以及提供在单元阵列区域的端部处的连接区域；电极结构，从单元阵列区域延伸到连接区域，该电极结构包括顺序地堆叠在基板上的电极；提供在电极结构上的上绝缘层；提供在上绝缘层中并沿着电极延伸的第一水平绝缘层；以及提供在连接区域上以穿透上绝缘层和第一水平绝缘层的第一接触插塞。第一水平绝缘层可以包括具有比上绝缘层更好的耐蚀刻性能的材料。