公开(公告)号：CN118057607A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311543814.5

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  曹恩爱 ,  韩娜莱 ,  金汎锡 ,  金载兴 ,  李周浩 ,  崔源湜

IPC: H01L23/64 ,  H10N70/00

Abstract: 公开了一种电容器、半导体器件和包括该半导体器件的电子装置。电容器包括：第一电极；第二电极，与第一电极间隔开设置；介电膜，在第一电极和第二电极之间；以及漏电流减少层，在第一电极和第二电极之间设置在介电膜上并包括MxAlyOz。

公开(公告)号：CN102543964A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110364899.1

申请日：2011-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五成 ,  曹圭镐 ,  金完敦 ,  金汎锡 ,  卓容奭

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供了电容器及其形成方法、半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置中的电容器包括：下电极，形成在基板上，所述下电极由具有金红石晶体结构的导电金属氧化物形成；氧化钛介电层，在下电极上，氧化钛介电层具有金红石晶体结构并包括用于减小漏电流的杂质；上电极，位于氧化钛介电层上。一种形成半导体存储器装置中的电容器的方法包括以下步骤：在基板上形成下电极，所述下电极包括具有金红石晶体结构的导电金属氧化物；在下电极上形成氧化钛介电层，氧化钛介电层具有金红石晶体结构并具有用于减小漏电流的杂质；在氧化钛介电层上形成上电极。