公开(公告)号：CN112118404B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202010277632.8

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  金永燦 ,  郑泰燮 ,  权容铉 ,  林茂燮

IPC: H04N25/705

Abstract: 一种深度传感器包括：第一像素，包括多个第一光电晶体管，每第一光电晶体管接收第一光电栅极信号；第二像素，包括多个第二光电晶体管，每个第二光电晶体管接收第二光电栅极信号；第三像素，包括多个第三光电晶体管，每个第三光电晶体管接收第三光电栅极信号；第四像素，包括多个第四光电晶体管，每个第四光电晶体管接收第四光电栅极信号；以及光电转换元件，由多个第一至第四光电晶体管中的第一至第四光电晶体管共享。

公开(公告)号：CN109994494B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN201811561448.5

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  吉珉墡 ,  金永燦

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种包括在三维图像传感器中的像素阵列。所述像素阵列包括深度像素和环境光消除(ALC)电路。深度像素响应于具有不同相位的多个光控制信号来进行操作，并且基于被物体反射的光产生物体的距离信息。ALC电路从被反射的光去除环境光分量并且被深度像素共享。每个深度像素包括光电转换区域、浮置扩散区域、光栅极和排放栅极。光电转换区域基于被反射的光收集光电荷。浮置扩散区域积累光电荷。光栅极响应于所述多个光控制信号中的一个光控制信号被激活。光电转换区域在光栅极被激活时积累光电荷，而光电转换区域中的光电荷在排放栅极被激活时被释放。

公开(公告)号：CN112118404A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202010277632.8

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  金永燦 ,  郑泰燮 ,  权容铉 ,  林茂燮

IPC: H04N5/369

Abstract: 一种深度传感器包括：第一像素，包括多个第一光电晶体管，每第一光电晶体管接收第一光电栅极信号；第二像素，包括多个第二光电晶体管，每个第二光电晶体管接收第二光电栅极信号；第三像素，包括多个第三光电晶体管，每个第三光电晶体管接收第三光电栅极信号；第四像素，包括多个第四光电晶体管，每个第四光电晶体管接收第四光电栅极信号；以及光电转换元件，由多个第一至第四光电晶体管中的第一至第四光电晶体管共享。

公开(公告)号：CN112083439A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010221083.2

申请日：2020-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永燦 ,  陈暎究 ,  林茂燮 ,  权容铉

IPC: G01S17/894

Abstract: 公开了一种包括像素的深度传感器。所述像素包括：光电晶体管；第一转移晶体管，连接到所述光电晶体管；第一浮动扩散区域，连接到所述第一转移晶体管；第二转移晶体管，连接到所述光电晶体管；存储元件，连接到所述第二转移晶体管；第三转移晶体管，连接到所述存储元件；以及第二浮动扩散区域，连接到所述第三转移晶体管。

公开(公告)号：CN109994494A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811561448.5

申请日：2018-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  吉珉墡 ,  金永燦

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种包括在三维图像传感器中的像素阵列。所述像素阵列包括深度像素和环境光消除(ALC)电路。深度像素响应于具有不同相位的多个光控制信号来进行操作，并且基于被物体反射的光产生物体的距离信息。ALC电路从被反射的光去除环境光分量并且被深度像素共享。每个深度像素包括光电转换区域、浮置扩散区域、光栅极和排放栅极。光电转换区域基于被反射的光收集光电荷。浮置扩散区域积累光电荷。光栅极响应于所述多个光控制信号中的一个光控制信号被激活。光电转换区域在光栅极被激活时积累光电荷，而光电转换区域中的光电荷在排放栅极被激活时被释放。