公开(公告)号：CN117956798A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311408358.3

申请日：2023-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金根义 ,  李基硕 ,  张殷硕 ,  朴硕韩 ,  申硕浩 ,  慎重赞 ,  郑文泳

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/30 ,  H10B43/27 ,  H10B43/30

Abstract: 一种半导体存储器件可以包括：衬底；在衬底上在第一方向上延伸的位线；在第二方向上延伸以与位线交叉的第一字线和第二字线；在第一字线和第二字线之间在第二方向上延伸的背栅电极；设置在第一和第二字线与背栅电极之间并且连接到位线的第一和第二有源图案；分别联接到第一和第二有源图案的接触图案；在接触图案和背栅电极之间的第一背栅极覆盖图案；以及在接触图案与第一和第二字线之间的第一栅极覆盖图案。第一背栅极覆盖图案和第一栅极覆盖图案可以具有第一接缝和第二接缝，第一接缝和第二接缝在第二方向上延伸并且位于不同的垂直水平处。