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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106847876A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611087672.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/7855 , H01L29/42356
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。
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公开(公告)号：CN106847876B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201611087672.6
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。
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公开(公告)号：CN110728096B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201910466458.9
申请日：2019-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金曜澖
IPC: G06F30/31 , G06F30/3308 , G06F115/12
Abstract: 提供了一种制造集成电路的方法和一种设计集成电路的计算系统。一种制造其中设置有半导体器件的集成电路的方法包括：根据接收到的工艺变量，通过使用包括多个模型参数的模型参数文件，对半导体器件的电特性进行仿真，基于仿真的结果生成布局数据，以及根据基于布局数据的半导体器件布局制造集成电路，其中，多个模型参数以关于工艺变量的至少一个函数的形式存储在模型参数文件中。
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公开(公告)号：CN110728096A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910466458.9
申请日：2019-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金曜澖
IPC: G06F30/31 , G06F30/3308 , G06F115/12
Abstract: 提供了一种制造集成电路的方法和一种设计集成电路的计算系统。一种制造其中设置有半导体器件的集成电路的方法包括：根据接收到的工艺变量，通过使用包括多个模型参数的模型参数文件，对半导体器件的电特性进行仿真，基于仿真的结果生成布局数据，以及根据基于布局数据的半导体器件布局制造集成电路，其中，多个模型参数以关于工艺变量的至少一个函数的形式存储在模型参数文件中。
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公开(公告)号：CN109429020A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810832477.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/225 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 一种制造包括第一半导体芯片和第二半导体芯片的图像传感器的方法，包括：接收分别与第一半导体芯片和第二半导体芯片相关联的制造数据；处理制造数据以确定由多个像素中的每个像素生成的像素信号传输到的像素信号传输线的电容和电阻，其中所述电容和电阻对应于与多个像素中的每个像素相关联的位置信息；以及在第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片之前，基于所确定的电容和电阻确定图像传感器的预测的特性。基于确定图像传感器的预测的特性至少满足一个或多个目标值的特定集合，第一半导体芯片可以电连接到第二半导体芯片以形成图像传感器。
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