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公开(公告)号：CN108183097B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201711089453.6
申请日：2017-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金智熏
IPC: H01L23/64
Abstract: 一种半导体器件，包括：在衬底上的多个下电极，所述多个下电极在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上以形成行和列；具有平板形式的支撑结构，支撑结构连接并支撑所述多个下电极，支撑结构包括限定在其中的多个敞开区域，包括成交替方式的两种不同形状的支撑结构可以被提供。所述多个敞开区域可以具有相同的形状并部分地暴露所有的所述多个下电极的侧面。
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公开(公告)号：CN108231775A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711327054.9
申请日：2017-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金智熏
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L21/7687 , H01L27/10808 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/90 , H01L27/10805
Abstract: 一种半导体器件包括：在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，第一方向平行于衬底的主表面，第二方向平行于衬底的主表面且垂直于第一方向；以及支撑结构图案，其在衬底上被构造为将所述多个下电极彼此连接以支撑所述多个下电极，并且包括多个开口部分。所述多个开口部分具有在第二方向上比在第一方向上延伸得更长的形状，并且当从所述多个开口部分的内侧被观察时，所述多个开口部分在第一方向上凸出并且在第二方向上凹入。
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公开(公告)号：CN108183097A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711089453.6
申请日：2017-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金智熏
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L29/401 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/768 , H01L21/76801 , H01L23/64 , H01L27/0207 , H01L27/108 , H01L28/60 , H01L28/91 , H01L29/41 , H01L23/642 , H01L28/90
Abstract: 一种半导体器件，包括：在衬底上的多个下电极，所述多个下电极在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上以形成行和列；具有平板形式的支撑结构，支撑结构连接并支撑所述多个下电极，支撑结构包括限定在其中的多个敞开区域，包括成交替方式的两种不同形状的支撑结构可以被提供。所述多个敞开区域可以具有相同的形状并部分地暴露所有的所述多个下电极的侧面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113224059A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110376032.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金智熏
IPC: H01L27/108 , H01L21/768 , H01L49/02 , H01L21/8242
Abstract: 一种半导体器件包括：在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，第一方向平行于衬底的主表面，第二方向平行于衬底的主表面且垂直于第一方向；以及支撑结构图案，其在衬底上被构造为将所述多个下电极彼此连接以支撑所述多个下电极，并且包括多个开口部分。所述多个开口部分具有在第二方向上比在第一方向上延伸得更长的形状，并且当从所述多个开口部分的内侧被观察时，所述多个开口部分在第一方向上凸出并且在第二方向上凹入。
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公开(公告)号：CN108231775B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201711327054.9
申请日：2017-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金智熏
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件包括：在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，第一方向平行于衬底的主表面，第二方向平行于衬底的主表面且垂直于第一方向；以及支撑结构图案，其在衬底上被构造为将所述多个下电极彼此连接以支撑所述多个下电极，并且包括多个开口部分。所述多个开口部分具有在第二方向上比在第一方向上延伸得更长的形状，并且当从所述多个开口部分的内侧被观察时，所述多个开口部分在第一方向上凸出并且在第二方向上凹入。
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公开(公告)号：CN113224059B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110376032.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金智熏
IPC: H10B12/00 , H01L21/768 , H10N97/00
Abstract: 一种半导体器件包括：在第一方向和第二方向上布置在衬底上的多个下电极，第一方向平行于衬底的主表面，第二方向平行于衬底的主表面且垂直于第一方向；以及支撑结构图案，其在衬底上被构造为将所述多个下电极彼此连接以支撑所述多个下电极，并且包括多个开口部分。所述多个开口部分具有在第二方向上比在第一方向上延伸得更长的形状，并且当从所述多个开口部分的内侧被观察时，所述多个开口部分在第一方向上凸出并且在第二方向上凹入。
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公开(公告)号：CN108933143B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201810528707.8
申请日：2018-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区域和周边区域；以及衬底上的底部电极。底部电极布置在均在第一方向上延伸的第一行和第二行中。第一行和第二行在垂直于第一方向的第二方向上彼此相邻。第一行中的底部电极包括在第一方向上分开第一距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极。第二行中的底部电极包括在第一方向上分开第二距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极。第一行中的最外面的底部电极位于衬底的周边区域上。第二行中的最外面的底部电极位于衬底的单元区域上。
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公开(公告)号：CN108933143A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810528707.8
申请日：2018-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10894 , H01L28/75 , H01L28/87 , H01L28/91 , H01L27/11563 , H01L27/11568
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区域和周边区域；以及衬底上的底部电极。底部电极布置在均在第一方向上延伸的第一行和第二行中。第一行和第二行在垂直于第一方向的第二方向上彼此相邻。第一行中的底部电极包括在第一方向上分开第一距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极。第二行中的底部电极包括在第一方向上分开第二距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极。第一行中的最外面的底部电极位于衬底的周边区域上。第二行中的最外面的底部电极位于衬底的单元区域上。
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