公开(公告)号：CN1606177A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410092115.4

申请日：2004-10-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

Inventor： 成泰连 ,  金庆国 ,  宋俊午 ,  林东皙

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件具有一种结构，其中在衬底上至少依次形成n型包覆层、有源层和p型包覆层。该发光器件还包括形成于p型包覆层上由包含的p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层。该氮化物基发光器件的制造方法包括在p型包覆层上形成由包含p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层，制造欧姆接触层并对所得结构进行退火。通过改善与p型包覆层的欧姆接触，氮化物基发光器件及其制造方法提供了优良的I－V特性，同时由于透明电极的高透光率，有效地增强了器件的发光效率。

公开(公告)号：CN101740694A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910225274.X

申请日：2009-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆国 ,  蔡秀熙 ,  朴永洙 ,  金泽 ,  梁炆承 ,  丁亨洙 ,  朴宰彻 ,  金峻渊

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。

公开(公告)号：CN1606177B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410092115.4

申请日：2004-10-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

Inventor： 成泰连 ,  金庆国 ,  宋俊午 ,  林东皙

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件具有一种结构，其中在衬底上至少依次形成n型包覆层、有源层和p型包覆层。该发光器件还包括形成于p型包覆层上由包含的p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层。该氮化物基发光器件的制造方法包括在p型包覆层上形成由包含p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层，制造欧姆接触层并对所得结构进行退火。通过改善与p型包覆层的欧姆接触，氮化物基发光器件及其制造方法提供了优良的I-V特性，同时由于透明电极的高透光率，有效地增强了器件的发光效率。

公开(公告)号：CN1677703A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510068540.4

申请日：2005-03-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

Inventor： 成泰连 ,  金庆国 ,  宋俊午 ,  林东晳

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32341

Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件和制造该器件的方法。该发光器件包括一个衬底，和在该衬底上依次形成的n型覆层、有源层、p型覆层、网格单元层和欧姆接触层。该网格单元层由埋在欧姆接触层中的尺寸小于30微米的离散的且导电的颗粒型单元构成。该氮化物基发光器件和制造该器件的方法对p型覆层上的欧姆接触特性作了改进，从而增加了器件的发光效率和使用寿命，同时由于省略去薄膜生长之后的活化工艺而简化了制造方法。

公开(公告)号：CN101740694B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN200910225274.X

申请日：2009-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆国 ,  蔡秀熙 ,  朴永洙 ,  金泽 ,  梁炆承 ,  丁亨洙 ,  朴宰彻 ,  金峻渊

IPC: H01L33/12

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。

公开(公告)号：CN100481536C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200510068540.4

申请日：2005-03-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

Inventor： 成泰连 ,  金庆国 ,  宋俊午 ,  林东晳

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/32341

Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件和制造该器件的方法。该发光器件包括一个衬底，和在该衬底上依次形成的n型覆层、有源层、p型覆层、网格单元层和欧姆接触层。该网格单元层由埋在欧姆接触层中的尺寸小于30微米的离散的且导电的颗粒型单元构成。该氮化物基发光器件和制造该器件的方法对p型覆层上的欧姆接触特性作了改进，从而增加了器件的发光效率和使用寿命，同时由于省略去薄膜生长之后的活化工艺而简化了制造方法。