公开(公告)号：CN107507820A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710447541.2

申请日：2017-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  金孝柱 ,  文光辰 ,  朴秀晶 ,  徐柱斌 ,  李来寅 ,  李镐珍

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。其中在该半导体器件中，焊盘设置在衬底上。凸块结构设置在焊盘上并电连接到焊盘。凸块结构包括顺序地堆叠在焊盘上的第一铜层和第二铜层以及在第二铜层上的焊料球。第一铜层的(111)面与(200)面的第一X射线衍射(XRD)峰值强度比大于第二铜层的(111)面与(200)面的第二XRD峰值强度比。

公开(公告)号：CN110858582A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910777364.3

申请日：2019-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰成 ,  文光辰 ,  金孝柱 ,  闵俊弘 ,  李学承

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98

Abstract: 公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括基板、附接到基板的第一单元结构、以及附接到第一单元结构的第二单元结构。第一单元结构和第二单元结构中的每一个包括粘合层、粘合层上的下半导体芯片、在下半导体芯片上并且与下半导体芯片接触的上半导体芯片、以及穿透上半导体芯片并与上半导体芯片和下半导体芯片连接的多个通孔。

公开(公告)号：CN110718520B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN201910524384.X

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任京彬 ,  金圣协 ,  金孝柱 ,  李镐昌 ,  罗正玟

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、穿透衬底的通孔、沿着通孔的内壁形成的通孔绝缘膜以及填充通孔的芯塞，其中，通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至‑100MPa。

公开(公告)号：CN107507820B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201710447541.2

申请日：2017-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  金孝柱 ,  文光辰 ,  朴秀晶 ,  徐柱斌 ,  李来寅 ,  李镐珍

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。其中在该半导体器件中，焊盘设置在衬底上。凸块结构设置在焊盘上并电连接到焊盘。凸块结构包括顺序地堆叠在焊盘上的第一铜层和第二铜层以及在第二铜层上的焊料球。第一铜层的(111)面与(200)面的第一X射线衍射(XRD)峰值强度比大于第二铜层的(111)面与(200)面的第二XRD峰值强度比。

公开(公告)号：CN110718520A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910524384.X

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任京彬 ,  金圣协 ,  金孝柱 ,  李镐昌 ,  罗正玟

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、穿透衬底的通孔、沿着通孔的内壁形成的通孔绝缘膜以及填充通孔的芯塞，其中，通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至-100MPa。