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公开(公告)号：CN118678668A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410264331.X
申请日：2024-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 示例半导体装置包括：第一电极结构，其包括第一连接部和从第一连接部延伸的第一指状部；以及第二电极结构，其包括第二连接部和从第二连接部延伸并且与第一指状部交替布置的第二指状部。第一电极结构可以包括交替堆叠的第一线和第一接触件，第二电极结构可以包括交替堆叠的第二线和第二接触件，并且第一线和第二线以及第一接触件和第二接触件可以在多个水平之中的N个水平上以第一节距布置，并且在多个水平中的M个水平上以比第一节距大的第二节距布置，其中，N可以为3或更大，并且M可以小于N。
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