公开(公告)号：CN108231887B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201710831485.2

申请日：2017-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俸彻 ,  李炯锡 ,  韩银洙

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及半导体器件。衬底包括图案形成区域和外围区域。第一应变松弛缓冲层设置在衬底的图案形成区域上。第二应变松弛缓冲层设置在衬底的外围区域上。第一绝缘膜图案设置在衬底上。第一绝缘膜图案的至少一部分设置在第一应变松弛缓冲层内。第一绝缘膜图案的上表面由第一应变松弛缓冲层覆盖。第二绝缘膜图案设置在衬底上。第二绝缘膜图案的至少一部分设置在第二应变松弛缓冲层内。第二绝缘膜图案的上表面由第二应变松弛缓冲层覆盖。栅电极设置在第一应变松弛缓冲层上。

公开(公告)号：CN117806125A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202310948715.9

申请日：2023-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贞姬 ,  金俸彻 ,  陶炯完

IPC: G03F7/16 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/42

Abstract: 衬底处理系统包括：涂布装置，被配置为在半导体衬底上涂布光刻胶膜；曝光装置，被配置为将光照射到光刻胶膜上以形成光刻胶图案区域；显影系统，被配置为从光刻胶膜去除除了光刻胶图案区域以外的不必要的区域以形成光刻胶图案，所述显影系统包括湿式显影装置和干式显影装置，所述湿式显影装置被配置为使用显影液来去除不必要的区域，所述干式显影装置被配置为使用显影气体来去除不必要的区域；清洁装置，包括清洁室并且被配置为去除在半导体衬底的边缘区域上的光刻胶膜或光刻胶图案的边缘球状物；以及加热装置，被配置为加热光刻胶膜或光刻胶图案。

公开(公告)号：CN108231887A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710831485.2

申请日：2017-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俸彻 ,  李炯锡 ,  韩银洙

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7849 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66795

Abstract: 本公开涉及半导体器件。衬底包括图案形成区域和外围区域。第一应变松弛缓冲层设置在衬底的图案形成区域上。第二应变松弛缓冲层设置在衬底的外围区域上。第一绝缘膜图案设置在衬底上。第一绝缘膜图案的至少一部分设置在第一应变松弛缓冲层内。第一绝缘膜图案的上表面由第一应变松弛缓冲层覆盖。第二绝缘膜图案设置在衬底上。第二绝缘膜图案的至少一部分设置在第二应变松弛缓冲层内。第二绝缘膜图案的上表面由第二应变松弛缓冲层覆盖。栅电极设置在第一应变松弛缓冲层上。