公开(公告)号：CN1982175A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610131810.6

申请日：2006-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张珉九 ,  边宰圣 ,  金琎其 ,  金仁哲 ,  李升和 ,  金成学

IPC: B65G35/00 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明涉及一种传送装置，依据本发明所提供的传送装置包含：导轨，该导轨具有由一对轨道部件形成的主轨道和从所述主轨道分岔而形成的分岔轨道；在所述分岔轨道的分岔区域沿所述分岔轨道设置的辅助导轨；搬运车单元，该搬运车单元具有沿所述导轨运行的搬运车主体和结合于所述搬运车主体并与所述辅助导轨的两侧接触而引导所述搬运车主体改变运行轨迹的导轮。由此，可以在分岔区域减小搬运车单元的振动及噪音，并可以防止冲击带来的损伤等，从而可以更加稳定而迅速地传送作业物。

公开(公告)号：CN1127134C

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN98102739.3

申请日：1998-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳雨 ,  金仁哲

IPC: H01L21/82

Abstract: 提出了一种制造半导体存储器件的方法，可以防止半导体的位线氧化。在半导体基片上形成一个器件隔离区，以确定有源区和无源区。在半导体基片的有源区上形成一栅电极。在包括该栅电极的半导体基片上形成一第一层间绝缘层。在第一层间绝缘层上形成一位线，以及在包括该位线的第一层间绝缘层上形成一第二层间绝缘层。根据这种方法，可防止被淀积以形成介电层的氮化硅层的断裂与减薄现象的发生，从而防止位线被氧化。

公开(公告)号：CN1204150A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN98102739.3

申请日：1998-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳雨 ,  金仁哲

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8239

Abstract: 提出了一种制造半导体存储器件的方法,可以防止半导体的位线氧化。在半导体基片上形成一个器件隔离区,以确定有源区和无源区。在半导体基片的有源区上形成一栅电极。在包括该栅电极的半导体基片上形成一第一层间绝缘层。在第一层间绝缘层上形成一位线,以及在包括该位线的第一层间绝缘层上形成一第二层间绝缘层。根据这种方法,可防止被淀积以形成介电层的氮化硅层的断裂与减薄现象的发生,从而防止位线被氧化。

公开(公告)号：CN1203885A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN98108923.2

申请日：1998-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金仁哲 ,  成学庆

IPC: B65G49/07

Abstract: 在半导体晶片盒移动式输送机器人的操作中发生异常输出操作时在设备之间开始半导体晶片盒直接部件输送的方法。在移动式输送机器人的异常输出操作的部件输送方法中,移动式输送机器人移动到一个设备,在接收到异常输出的操作命令以后,移动式输送机器人与该设备之间的光通信开始,确定移动式输送机器人与该设备之间的异常输出操作是否可能,并且在异常输出操作可能时,预定的部件被吸住并由第一位置输送到第二位置。