公开(公告)号：CN110867363B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN201910519648.2

申请日：2019-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 路四清 ,  野口恭史 ,  李天揆

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理装置包括处理室、设置在处理室中的基板卡盘和温度控制器。基板卡盘被配置为容纳基板，并且包括冷却剂流过的冷却通道。温度控制器被配置为控制供应给冷却通道的冷却剂的温度。温度控制器包括：冷却器，被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行冷却；加热器，被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行加热；以及三通阀，被配置为调节冷却剂通过冷却器的第一流速和冷却剂通过加热器的第二流速。

公开(公告)号：CN110867363A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201910519648.2

申请日：2019-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 路四清 ,  野口恭史 ,  李天揆

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理装置包括处理室、设置在处理室中的基板卡盘和温度控制器。基板卡盘被配置为容纳基板，并且包括冷却剂流过的冷却通道。温度控制器被配置为控制供应给冷却通道的冷却剂的温度。温度控制器包括：冷却器，被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行冷却；加热器，被配置为对供应给冷却通道的冷却剂进行加热；以及三通阀，被配置为调节冷却剂通过冷却器的第一流速和冷却剂通过加热器的第二流速。