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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN118400997A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311259803.4

申请日：2023-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高相圭 , 郑爀采 , 韩相逸 , 朴正振 , 金秀炫 , 李哲 , 张成豪 , 张馨元

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括由器件隔离层限定的外围有源图案；栅极结构，所述栅极结构位于所述外围有源图案上；以及栅极间隔物，所述栅极间隔物覆盖所述栅极结构的侧表面的至少一部分。所述栅极结构包括绝缘图案结构和位于所述绝缘图案结构上的金属图案结构。所述绝缘图案结构包括在第一高度在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上具有最大深度的凹陷。所述绝缘图案结构包括依次堆叠在所述衬底的所述顶表面上的第一栅极绝缘图案和高k电介质层。所述栅极间隔物包括插入在所述凹陷中的突起。

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