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公开(公告)号：CN118448547A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410126584.0
申请日：2024-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，其布置在第一导电类型半导体层上；有源层；电极层，其形成在第二导电类型半导体层的顶表面上；反射层，其形成在电极层的顶表面的一部分上；接合焊盘，其形成在反射层的顶表面上；绝缘层，其形成在电极层的顶表面的另一部分上；以及绝缘间隔件，其沿着衬底的表面共形地形成。反射层包括不被水溶液蚀刻的材料，水溶液包括四甲基氢氧化铵(TMAH)、KOH、NaOH和NH4OH中的一种，并且接合焊盘具有外壳形状，该外壳形状包括其宽度随着其远离反射层而逐渐减小的部分。
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