-
公开(公告)号：CN120021369A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202410801515.5
申请日：2024-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置包括：基底，具有在单元阵列区域中的部分和在外围电路区域中的部分；外围电路结构，包括外围电路和连接到外围电路的外围电路布线；以及单元阵列结构，其中，单元阵列区域中的单元阵列结构包括：多条位线，在第一方向上延伸；多条字线，在所述多条位线上在第二方向上延伸；有源图案，设置在第一字线与第二字线之间；单元连接垫，连接到有源图案；以及单元电容器，并且外围电路区域中的单元阵列结构包括：导电垫，设置在与单元电容器的端部相同的高度处；以及下导电接触插塞，连接导电垫和外围电路结构。
Search Results
1
records
(took 0.024 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
