具有基准单元阵列块的铁电随机存取存储器器件

    公开(公告)号:CN1212434A

    公开(公告)日:1999-03-31

    申请号:CN98117447.7

    申请日:1998-08-28

    Inventor: 郑东镇

    CPC classification number: G11C11/22

    Abstract: 揭示了一种铁电随机存取存储器器件,在一个基准单元阵列中采用了多个基准单元阵列块。如果从一个选中的基准单元阵列块产生的基准电压被向逻辑数据“1”或“0”偏置,则该选中的基准单元阵列块将被改变为一个未选阵列块,其具有的铁电电容器的尺寸大于或小于选中的基准单元阵列块。这使得改变后的基准单元阵列块在晶片电平下向基准位线提供所需的基准电压。其结果是,存储单元的检测裕度变大,使得铁电随机存取存储器器件的可靠性改善。

    具有改善可靠性的铁电随机存取存储器器件

    公开(公告)号:CN1211040A

    公开(公告)日:1999-03-17

    申请号:CN98117489.2

    申请日:1998-09-08

    CPC classification number: G11C11/22

    Abstract: 揭示了一种铁电随机存取存储器(FRAM)器件,包括一条字线,一条极板线,一条位线,和一个铁电存储单元。该铁电存储单元包括一个铁电电容器和一个选择晶体管。铁电电容器的一个电极经选择晶体管与位线耦合,其另一电极与极板线耦合,选择晶体管的控制极与字线耦合。该FRAM器件还包括一个用于产生提供至极板线的一个极板脉冲信号的极板脉冲发生器。根据不同的操作模式,产生的极板脉冲信号具有不同的电压电平。

    电子装置、电子装置的控制方法和计算机可读介质

    公开(公告)号:CN113168543A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN201980080530.2

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 提供了电子装置。该电子装置包括:相机、处理器和存储器,该存储器被配置为存储网络模型,该网络模型被训练为确定输入图像帧和预定的特征信息之间的匹配度,其中该处理器被配置为:当通过相机捕获多个图像帧时,基于通过将从多个图像帧当中选择的图像帧应用于经训练的网络模型而获得的匹配度来识别代表性图像帧,基于通过将包括所识别的代表性图像帧的特定部分内的图像帧应用于经训练的网络模型而获得的匹配度来从多个图像帧当中识别最佳图像帧,并提供所识别的最佳图像帧。

    铁电存储器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100539013C

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN99109089.6

    申请日:1999-06-18

    Inventor: 郑东镇 金奇南

    CPC classification number: H01L27/11502 H01L28/55

    Abstract: 一种带有铁电膜的铁电电容器,所述铁电膜具有比锆酸盐成分多的钛成分,以改善铁电特性。制造这种铁电电容器的方法包括以下步骤:在覆盖已形成的铁电电容器的绝缘层中形成接触开口后,在氧气氛中进行热处理。这种在氧气氛中的热处理可以使所不希望的铂电极负作用减至最小,所述负作用指对铁电膜成分的氧化。

    具有基准单元阵列块的铁电随机存取存储器器件

    公开(公告)号:CN1118826C

    公开(公告)日:2003-08-20

    申请号:CN98117447.7

    申请日:1998-08-28

    Inventor: 郑东镇

    CPC classification number: G11C11/22

    Abstract: 揭示了一种铁电随机存取存储器器件,在一个基准单元阵列中采用了多个基准单元阵列块。如果从一个选中的基准单元阵列块产生的基准电压被向逻辑数据“1”或“0”偏置,则该选中的基准单元阵列块将被改变为一个未选阵列块,其具有的铁电电容器的尺寸大于或小于选中的基准单元阵列块。这使得改变后的基准单元阵列块在晶片电平下向基准位线提供所需的基准电压。其结果是,存储单元的检测裕度变大,使得铁电随机存取存储器器件的可靠性改善。

    具有改善可靠性的铁电随机存取存储器器件

    公开(公告)号:CN1112704C

    公开(公告)日:2003-06-25

    申请号:CN98117489.2

    申请日:1998-09-08

    CPC classification number: G11C11/22

    Abstract: 揭示了一种铁电随机存取存储器(FRAM)器件,包括一条字线,一条极板线,一条位线,和一个铁电存储单元。该铁电存储单元包括一个铁电电容器和一个选择晶体管。铁电电容器的一个电极经选择晶体管与位线耦合,其另一电极与极板线耦合,选择晶体管的控制极与字线耦合。该FRAM器件还包括一个用于产生提供至极板线的一个极板脉冲信号的极板脉冲发生器。根据不同的操作模式,产生的极板脉冲信号具有不同的电压电平。

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