公开(公告)号：CN1518774A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN02812362.X

申请日：2002-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边宰成 ,  李建宗 ,  林铉洙 ,  车钟焕 ,  郑培铉

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136236 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明涉及一种TFT阵列面板及其制造方法。为简化其制造过程，通过印刷有机绝缘材料形成栅极绝缘层及钝化层。本发明的TFT面板包括绝缘基板、和形成于该绝缘基板上的栅极布线。该栅极布线包括以第一方向延伸的栅极线及与该栅极线一端连接的栅极衬垫。在绝缘基板上形成栅极绝缘层，同时露出栅极衬垫及邻接该栅极衬垫的部分栅极线。在栅极绝缘层上形成半导体图案。在栅极绝缘层上形成数据布线。该数据布线包括以第二方向延伸并与栅极线交叉的数据线、连接数据线并与半导体图案接触的源极、面对源极并与半导体图案接触的漏极、以及连接数据线一端的数据衬垫。在栅极绝缘层上形成钝化层并露出数据衬垫及邻接该数据衬垫的部分数据线。

公开(公告)号：CN1270388C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN02812362.X

申请日：2002-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边宰成 ,  李建宗 ,  林铉洙 ,  车钟焕 ,  郑培铉

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136236 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明涉及一种TFT阵列面板及其制造方法。为简化其制造过程，通过印刷有机绝缘材料形成栅极绝缘层及钝化层。本发明的TFT面板包括绝缘基板、和形成于该绝缘基板上的栅极布线。该栅极布线包括以第一方向延伸的栅极线及与该栅极线一端连接的栅极衬垫。在绝缘基板上形成栅极绝缘层，同时露出栅极衬垫及邻接该栅极衬垫的部分栅极线。在栅极绝缘层上形成半导体图案。在栅极绝缘层上形成数据布线。该数据布线包括以第二方向延伸并与栅极线交叉的数据线、连接数据线并与半导体图案接触的源极、面对源极并与半导体图案接触的漏极、以及连接数据线一端的数据衬垫。在栅极绝缘层上形成钝化层并露出数据衬垫及邻接该数据衬垫的部分数据线。