公开(公告)号：CN1649027A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006412.7

申请日：2005-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  车国麟 ,  金大植

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 提供了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括开关装置和连接到该开关装置上的MTJ单元，其中MTJ单元包括连接到开关装置的下电极以及依次堆叠在该下电极上的下磁层、包含氟的隧穿膜、上磁层和盖帽层。还提供了一种用于制造该磁存储器件的等离子体反应室。

公开(公告)号：CN102522498A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110441857.3

申请日：2005-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  车国麟 ,  金大植

IPC: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供磁存储器件及其制造方法、反应室。该磁存储器件包括开关装置和连接到该开关装置上的MTJ单元，其中MTJ单元包括连接到开关装置的下电极以及依次堆叠在该下电极上的下磁层、包含氟的隧穿膜、上磁层和盖帽层。

公开(公告)号：CN102522498B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201110441857.3

申请日：2005-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰完 ,  车国麟 ,  金大植

IPC: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/12 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供磁存储器件及其制造方法、反应室。该磁存储器件包括开关装置和连接到该开关装置上的MTJ单元，其中MTJ单元包括连接到开关装置的下电极以及依次堆叠在该下电极上的下磁层、包含氟的隧穿膜、上磁层和盖帽层。