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公开(公告)号:CN103715672A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310454234.9
申请日:2013-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H02H3/20 , H01L27/0266 , H02H9/04 , H02H9/043 , H02H9/046
Abstract: 箝位电路、半导体装置和半导体装置的箝位方法。所述半导体装置包括:第一高压晶体管,具有栅极和第一电极,其中,第一电极连接到第一焊盘并且寄生电容形成在栅极和第一电极之间;箝位电路,连接到第一高压晶体管的栅极,其中,箝位电路检测由于静电放电导致的第一高压晶体管的栅极电压的电平变化,并且根据检测结果将第一高压晶体管的栅极电压箝位。
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公开(公告)号:CN117913760A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202311339542.7
申请日:2023-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H02H9/04
Abstract: 静电放电钳位电路包括:连接在第一和第二节点之间的电阻器;连接在第二和第三节点之间的第一电容器;连接在第四和第三节点之间的第二电容器;连接在第五和第三节点之间的第三电容器;基于第二节点的电压提供电源电压或第四节点的电压的第一反相器;基于第四节点的电压提供第一反相器输出电压或第五节点的电压的第二反相器;配置为基于第五节点的电压提供第二反相器输出电压或地电压的第三反相器;和串联在向其提供电源电压的第一节点和向其提供地电压的第三节点之间的第一至第三钳位晶体管。第一钳位晶体管配置为基于第一反相器输出电压操作,第二钳位晶体管配置为基于第二反相器输出电压操作,第三钳位晶体管配置为基于第三反相器输出电压操作。
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公开(公告)号:CN103715672B
公开(公告)日:2018-11-09
申请号:CN201310454234.9
申请日:2013-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 箝位电路、半导体装置和半导体装置的箝位方法。所述半导体装置包括:第一高压晶体管,具有栅极和第一电极,其中,第一电极连接到第一焊盘并且寄生电容形成在栅极和第一电极之间;箝位电路,连接到第一高压晶体管的栅极,其中,箝位电路检测由于静电放电导致的第一高压晶体管的栅极电压的电平变化,并且根据检测结果将第一高压晶体管的栅极电压箝位。
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