公开(公告)号：CN118298882A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311778646.8

申请日：2023-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵玟志 ,  李知尚 ,  朴世桓 ,  金真怜 ,  张俊锡

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C16/08

Abstract: 公开了一种操作包括存储器单元阵列的存储器装置的方法、一种存储器装置和一种存储器系统。存储器单元阵列包括多个存储器单元和连接到多个存储器单元的多条字线。该方法包括：通过调整施加到与用于改善存储器单元读出特性而要被额外读取的存储器单元连接的选择的字线WLN的电压电平以及施加到多条未选择的字线WLUnselect的电压电平，对多个存储器单元执行额外的读操作；以及通过将施加到多条未选择的字线WLUnselect之中的至少一条第一字线的电压电平调整为与在额外的读操作中施加到所述至少一条第一字线的电压电平不同，对多个存储器单元执行主读操作。

公开(公告)号：CN119274604A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410191954.9

申请日：2024-02-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵玟志 ,  姜熙雄 ,  金真怜 ,  朴世桓 ,  李知尚 ,  李熙元 ,  全秀昶

IPC: G11C8/08 ,  G06F11/10 ,  G11C29/42

Abstract: 公开了操作存储装置的方法和存储装置，存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置。所述方法包括：通过存储控制器向非易失性存储器装置提供指示目标存储器块的字线选择操作的第一请求；通过非易失性存储器装置基于第一请求获得目标存储器块的多条字线的分布信息；通过非易失性存储器装置基于分布信息确定所述多条字线之中的劣化字线；以及通过非易失性存储器装置向存储控制器提供指示劣化字线的字线信息。