公开(公告)号：CN108573979A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810156960.5

申请日：2018-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵泰根 ,  金泓秀 ,  朴钟国 ,  李太熙

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L23/522 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1157

Abstract: 一种半导体器件包括多个堆叠结构和多个分离绝缘层，所述多个堆叠结构包括顺序地堆叠在衬底上并且沿第一方向设置的栅电极，所述多个分离绝缘层的每一个设置在所述堆叠结构之间。多个竖直柱穿透每个堆叠结构并且连接到所述衬底。多个位线设置在所述竖直柱上并且沿第一方向跨所述堆叠结构延伸。多个位线接触结构将所述竖直柱连接到所述位线。多个第一单元虚拟线设置在所述多个分离绝缘层上，并沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN107305893B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201710253929.9

申请日：2017-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟国 ,  金泓秀 ,  赵泰根

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了半导体存储器装置及半导体装置。该半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和连接区域；第一字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第一字线；第二字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第二字线，第二字线堆与第一字线堆相邻；竖直沟道，位于基底的单元区域中，竖直沟道连接至基底并与所述多条第一字线和所述多条第二字线结合；桥接区域，将第一字线堆中的第一字线与第二字线堆中的相应第二字线连接；局部平坦化区域，位于桥接区域下方。

公开(公告)号：CN108573979B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201810156960.5

申请日：2018-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵泰根 ,  金泓秀 ,  朴钟国 ,  李太熙

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 一种半导体器件包括多个堆叠结构和多个分离绝缘层，所述多个堆叠结构包括顺序地堆叠在衬底上并且沿第一方向设置的栅电极，所述多个分离绝缘层的每一个设置在所述堆叠结构之间。多个竖直柱穿透每个堆叠结构并且连接到所述衬底。多个位线设置在所述竖直柱上并且沿第一方向跨所述堆叠结构延伸。多个位线接触结构将所述竖直柱连接到所述位线。多个第一单元虚拟线设置在所述多个分离绝缘层上，并沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN107305893A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710253929.9

申请日：2017-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟国 ,  金泓秀 ,  赵泰根

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了半导体存储器装置及半导体装置。该半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和连接区域；第一字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第一字线；第二字线堆，包括延伸至连接区域并堆叠在单元区域上的多条第二字线，第二字线堆与第一字线堆相邻；竖直沟道，位于基底的单元区域中，竖直沟道连接至基底并与所述多条第一字线和所述多条第二字线结合；桥接区域，将第一字线堆中的第一字线与第二字线堆中的相应第二字线连接；局部平坦化区域，位于桥接区域下方。