公开(公告)号：CN118119185A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311610590.5

申请日：2023-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金鹤善 ,  孙洛辰 ,  李东镇 ,  林濬熙 ,  金圣洙 ,  赵汉旻 ,  咸治熊

IPC: H10B41/41 ,  H10B41/27 ,  H10B41/10 ,  H10B43/40 ,  H10B43/27 ,  H10B43/10

Abstract: 一种NAND闪存器件可以包括外围电路，该外围电路包括晶体管、衬底、以及限定衬底的有源区的器件隔离区。晶体管可以包括在有源区上的第一栅极结构。晶体管还可以包括在有源区中并在第一栅极结构的两侧上沿第一方向延伸的源漏区，该源漏区可以包括与第一栅极结构相邻的第一轻掺杂源漏区以及一体地连接到第一轻掺杂源漏区的第二轻掺杂源漏区。第二轻掺杂源漏区可以布置为比第一轻掺杂源漏区更远离第一栅极结构。第二轻掺杂源漏区在第二方向上的宽度可以小于第一轻掺杂源漏区在第二方向上的宽度。