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公开(公告)号：CN1664953B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200510006246.0
申请日：2005-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092
Abstract: 相变单元存储器件包括数个相变存储单元、地址电路、写驱动器和写驱动器控制电路。相变存储单元的每一个都包括可在非晶态和晶态之间可编程的一块材料。地址电路选择至少一个存储单元，写驱动器生成将地址电路选择的存储单元编程(program)为非晶态的复位脉冲电流，以及将地址电路选择的存储单元编程为晶态的置位脉冲电流。写驱动器控制电路根据写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载，改变复位脉冲电流和置位脉冲电流中的至少一个的脉冲宽度和脉冲计数中的至少一个。
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公开(公告)号：CN1996493B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610171783.5
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , H01L27/24 , H01L23/522
CPC classification number: G11C8/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 提供了一种相变存储器件。所述相变存储器件包括：相变存储单元阵列，其包括：具有多个相变存储单元的第一存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于多条位线中的每一条和第一字线之间，具有多个相变存储单元的第二存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于所述多条位线中的每一条和第二字线之间，以及第一和第二下拉晶体管，其下拉所述第一和第二字线的每一电压电平，并共享节点；以及行驱动器，其包括用于上拉所述第一和第二字线中的每一电压电平的第一和第二上拉晶体管。
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公开(公告)号：CN1975927B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610163200.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。
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公开(公告)号：CN101004948B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200610168825.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0059 , G11C17/16 , G11C17/165
Abstract: 在一个方案中，一种非易失性存储器包括：相变存储单元阵列，包括多个正常相变存储单元和多个伪一次可编程(OTP)相变存储单元；写驱动器，向相变存储单元阵列的正常和伪OTP相变存储单元写入数据；以及OTP控制器，选择性地使写驱动器失效，其中，OTP控制器包括：OTP模式控制器，响应于命令信号，输出OTP模式信号；以及OTP保护控制器，响应于OTP模式信号，选择性地使写驱动器失效，从而根据在OTP保护控制器的OTP控制器存储器中预先存储的OTP控制信号，选择性地使对所访问的伪OTP相变存储单元的编程失效和生效。
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公开(公告)号：CN101004948A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610168825.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0059 , G11C17/16 , G11C17/165
Abstract: 在一个方案中，一种非易失性存储器包括：相变存储单元阵列，包括多个正常相变存储单元和多个伪一次可编程(OTP)相变存储单元；写驱动器，向相变存储单元阵列的正常和伪OTP相变存储单元写入数据；以及OTP控制器，选择性地使写驱动器失效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119922920A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411510347.0
申请日：2024-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种三维存储装置。该三维存储装置包括：存储单元阵列，在第一芯片中实现；以及外围电路，在第二芯片和沿竖直方向与第一芯片重叠的第三芯片中实现。外围电路包括：第一外围电路，在第二芯片和第三芯片中实现；第二外围电路，在第二芯片中实现并且包括至少一个高压晶体管；以及第三外围电路，在第三芯片中实现并且包括至少一个低压晶体管。第一外围电路包括：第一子外围电路，在第二芯片中实现并且包括至少一个高压晶体管；以及第二子外围电路，在第三芯片中实现并且包括至少一个低压晶体管。
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公开(公告)号：CN1664953A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510006246.0
申请日：2005-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092
Abstract: 相变单元存储器件包括数个相变存储单元、地址电路、写驱动器和写驱动器控制电路。相变存储单元的每一个都包括可在非晶态和晶态之间可编程的一块材料。地址电路选择至少一个存储单元，写驱动器生成将地址电路选择的存储单元编程(program)为非晶态的复位脉冲电流，以及将地址电路选择的存储单元编程为晶态的置位脉冲电流。写驱动器控制电路根据写驱动器和地址电路选择的存储单元之间的负载，改变复位脉冲电流和置位脉冲电流中的至少一个的脉冲宽度和脉冲计数中的至少一个。
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公开(公告)号：CN117789781A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311217496.3
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括具有多级结构的页缓冲器电路，其中多级结构的一级包括高电压区、第一低电压区和第二低电压区。高电压区包括连接到第一至第六位线中的一条的第一高电压晶体管和连接到第七至第十二位线中的一条的第二高电压晶体管，第一低电压区包括连接到第一高电压晶体管的第一晶体管，第二低电压区包括连接到第二高电压晶体管的第二晶体管。第一低电压区和第二低电压区中的每个具有与六条位线的节距相对应的第一宽度，高电压区具有与十二条位线的节距相对应的第二宽度。
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公开(公告)号：CN1996493A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610171783.5
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , H01L27/24 , H01L23/522
CPC classification number: G11C8/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 提供了一种相变存储器件。所述相变存储器件包括：相变存储单元阵列，其包括：具有多个相变存储单元的第一存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于多条位线中的每一条和第一字线之间，具有多个相变存储单元的第二存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于所述多条位线中的每一条和第二字线之间，以及第一和第二下拉晶体管，其下拉所述第一和第二字线的每一电压电平，并共享节点；以及行驱动器，其包括用于上拉所述第一和第二字线中的每一电压电平的第一和第二上拉晶体管。
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公开(公告)号：CN1975927A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163200.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。
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