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公开(公告)号：CN112185850A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010630336.1
申请日：2020-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/683
Abstract: 在晶圆到晶圆接合方法中，第一晶圆被真空吸附在下平台的第一表面上，并且第二晶圆被真空吸附在上平台的第二表面上。通过下推动杆将压力施加到第一晶圆的中间部分，并且通过上推动杆将压力施加到第二晶圆的中间部分。第一晶圆和第二晶圆的接合径向向外传播。检测第一晶圆和第二晶圆的接合传播位置。下推动杆的突出长度和上推动杆的突出长度的比率根据接合传播位置而改变。
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