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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN119947085A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202410930454.2

申请日：2024-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 , 南大镇 , 朴孝真 , 孙秀旼 , 杨贵福 , 李炅奎 , 赵仁海

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括器件隔离图案和有源区；位线，所述位线在所述衬底上在第一方向上延伸；半导体图案，所述半导体图案位于所述位线上；生长掩模层，所述生长掩模层位于所述位线上并具有与所述半导体图案接触的侧壁；字线，所述字线位于所述位线上并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及栅极电介质图案，所述栅极电介质图案位于所述字线和所述半导体图案之间。所述生长掩模层的顶表面处于高于所述半导体图案的底表面的高度的高度处。

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