公开(公告)号：CN118866064A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410399347.1

申请日：2024-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许旻晶 ,  申载厚 ,  边大锡 ,  曹溶成

IPC: G11C29/44 ,  G11C29/42 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C7/10 ,  G11C7/12

Abstract: 提供了非易失性存储器件、操作其的方法和存储装置。非易失性存储器件包括：多个三态锁存器；感测节点电路，感测节点电路被配置为将其中的感测节点电耦接到非易失性存储器件的位线；传输节点电路，传输节点电路被配置为将其中的传输节点电耦接到多个三态锁存器；以及节点连接电路，节点连接电路被配置为将传输节点电连接到感测节点。另外，传输节点电路和节点连接电路被共同配置为：响应于转储序列操作，将存储在多个三态锁存器中的至少两个三态锁存器中的数据同时反映给感测节点。

公开(公告)号：CN117995231A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311481070.9

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹溶成 ,  边大锡 ,  许旻晶

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/34

Abstract: 公开了存储器设备、包括存储器设备的固态驱动器及其使用方法。存储器设备包括存储器单元阵列以及多个页面缓冲器单元，每个页面缓冲器单元包括感测节点、数据传送节点、对数据传送节点预充电的第一晶体管、将感测节点连接到数据传送节点的第二晶体管、连接到数据传送节点的感测锁存器、改变感测锁存器的数据值的第三晶体管、以及将第三晶体管连接到数据传送节点的第四晶体管，其中，在感测操作期间，在第一时间段中，感测节点基于通过第一晶体管、数据传送节点和第四晶体管的第一路径被预充电，并且在第二时间段中，感测节点的电压根据通过第四晶体管、数据传送节点和第三晶体管的第二路径被设置为阈值电压。