公开(公告)号：CN104810402A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510034190.3

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  金成玟 ,  金秉瑞 ,  朴善钦 ,  裵贤俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明构思提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一鳍区域；第二鳍区域；隔离绝缘层，使第一鳍区域与第二鳍区域隔离并具有岛形状；第一栅极，交叉第一鳍区域；第二栅极，交叉第二鳍区域；以及第三栅极，覆盖隔离绝缘层的侧壁和顶表面并交叉隔离绝缘层。

公开(公告)号：CN110224027A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910394282.0

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  金成玟 ,  金秉瑞 ,  朴善钦 ,  裵贤俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明构思提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一鳍区域；第二鳍区域；隔离绝缘层，使第一鳍区域与第二鳍区域隔离并具有岛形状；第一栅极，交叉第一鳍区域；第二栅极，交叉第二鳍区域；以及第三栅极，覆盖隔离绝缘层的侧壁和顶表面并交叉隔离绝缘层。

公开(公告)号：CN104810402B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201510034190.3

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  金成玟 ,  金秉瑞 ,  朴善钦 ,  裵贤俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明构思提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一鳍区域；第二鳍区域；隔离绝缘层，使第一鳍区域与第二鳍区域隔离并具有岛形状；第一栅极，交叉第一鳍区域；第二栅极，交叉第二鳍区域；以及第三栅极，覆盖隔离绝缘层的侧壁和顶表面并交叉隔离绝缘层。

公开(公告)号：CN110224027B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201910394282.0

申请日：2015-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申宪宗 ,  金成玟 ,  金秉瑞 ,  朴善钦 ,  裵贤俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明构思提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括：第一鳍区域；第二鳍区域；隔离绝缘层，使第一鳍区域与第二鳍区域隔离并具有岛形状；第一栅极，交叉第一鳍区域；第二栅极，交叉第二鳍区域；以及第三栅极，覆盖隔离绝缘层的侧壁和顶表面并交叉隔离绝缘层。

公开(公告)号：CN101751992A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910252333.2

申请日：2009-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旻相 ,  李志明 ,  裵贤俊 ,  金洞院 ,  徐俊 ,  权容贤 ,  张原玮 ,  赵槿汇

IPC: G11C11/401 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/10897 ,  H01L28/40 ,  H01L29/685

Abstract: 本发明提供一种开关及其形成方法。一种存储器装置，其包括存储器单元，该存储器单元包括储存节点、第一电极和第二电极，该储存节点储存电荷，并且当第二电极通电时，第一电极移动从而连接至储存节点。