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公开(公告)号：CN114975357A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111563387.8
申请日：2021-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L29/423 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件包括栅极结构和接触插塞。所述栅极结构沿与衬底平行的第一方向延伸，并且包括顺序地堆叠的第一导电图案、第二导电图案和栅极掩模。所述接触插塞接触所述栅极结构在所述第一方向上的端部，并且包括沿垂直方向延伸并接触所述栅极掩模的侧壁和所述第二导电图案的侧壁的第一延伸部、在所述第一延伸部下方并接触所述第一延伸部和所述第一导电图案的侧壁的第二延伸部、以及在所述第二延伸部下方并接触所述第二延伸部的突起部。所述突起部的底部不接触所述第一导电图案。所述第一延伸部的侧壁的第一斜率大于所述第二延伸部的侧壁的第二斜率。
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