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公开(公告)号：CN110828569A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910525070.1
申请日：2019-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。半导体器件可以包括包含第一区和第二区的衬底、在第一区上沿第一方向延伸的第一有源鳍、在第二区上与第一有源鳍平行延伸的第二有源鳍、以及在两个第一有源鳍之间的单扩散中断区。单扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还可以包括在两个第二有源鳍之间并沿不同于第一方向的第二方向延伸的下扩散中断区、以及在下扩散中断区上的上扩散中断区。上扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开，每个上扩散中断区可以重叠下扩散中断区。
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公开(公告)号：CN110783336A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910670044.8
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件。该器件包括在衬底上沿第一方向延伸的有源图案，围绕有源图案的侧壁的一部分的场绝缘膜，在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第一栅结构，与第一栅结构间隔开并在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第二栅结构，以及第一栅结构与第一栅结构之间的第一器件隔离膜，其中第一栅结构的面向第一器件隔离膜的侧壁包括相对于有源图案的上表面具有锐角的倾斜表面，并且第一器件隔离膜的最下表面低于场绝缘膜的最上表面或与场绝缘膜的最上表面基本上共面。
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公开(公告)号：CN110970486B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201910752340.2
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：有源鳍，每个所述有源鳍在衬底上沿第一方向延伸，所述有源鳍在不同于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；导电结构，所述导电结构在所述衬底上沿所述第二方向延伸，并且与所述有源鳍接触；第一扩散中断图案，所述第一扩散中断图案在所述衬底与所述导电结构之间，并且将所述有源鳍的第一有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分；以及第二扩散中断图案，所述第二扩散中断图案与所述衬底上的所述导电结构相邻，所述第二扩散中断图案的上表面高于所述导电结构的下表面，并且所述第二扩散中断图案将所述有源鳍的第二有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分。
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公开(公告)号：CN110783336B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201910670044.8
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。该器件包括在衬底上沿第一方向延伸的有源图案，围绕有源图案的侧壁的一部分的场绝缘膜，在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第一栅结构，与第一栅结构间隔开并在有源图案和场绝缘膜上沿第二方向延伸的第二栅结构，以及第一栅结构与第一栅结构之间的第一器件隔离膜，其中第一栅结构的面向第一器件隔离膜的侧壁包括相对于有源图案的上表面具有锐角的倾斜表面，并且第一器件隔离膜的最下表面低于场绝缘膜的最上表面或与场绝缘膜的最上表面基本上共面。
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公开(公告)号：CN110797339B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201910640800.2
申请日：2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一有源图案，所述第一有源图案沿第一方向纵长地延伸；第二有源图案，所述第二有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿所述第一方向与所述第一有源图案间隔开。所述器件还包括位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的场绝缘膜。所述场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面或与所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面共面。所述器件还包括位于隔离沟槽中的元件隔离结构，所述隔离沟槽位于所述第一有源图案和所述场绝缘膜中。所述元件隔离结构的上表面高于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110620137B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201910106711.X
申请日：2019-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一方向延伸并在第一方向上与第一鳍间隔开的第二鳍。第三鳍提供有比第一鳍和第二鳍的长边短的长边并设置在第一鳍与第二鳍之间。第一栅极结构沿与第一方向不同的第二方向延伸并横跨第一鳍。器件隔离层设置在第一鳍、第二鳍和第三鳍的每个的下侧壁上并形成为沿第一方向延伸。电绝缘的扩散中断区包括横跨在第一鳍与第三鳍之间的第一部分、横跨在第二鳍与第三鳍之间的第二部分和在第三鳍上设置于第一部分与第二部分之间的第三部分。扩散中断区在器件隔离层上沿第二方向延伸。第三部分的下表面的水平高于第一部分和第二部分的每个的下端的水平且低于第一栅极结构的上表面的水平。
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公开(公告)号：CN110970486A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910752340.2
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：有源鳍，每个所述有源鳍在衬底上沿第一方向延伸，所述有源鳍在不同于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；导电结构，所述导电结构在所述衬底上沿所述第二方向延伸，并且与所述有源鳍接触；第一扩散中断图案，所述第一扩散中断图案在所述衬底与所述导电结构之间，并且将所述有源鳍的第一有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分；以及第二扩散中断图案，所述第二扩散中断图案与所述衬底上的所述导电结构相邻，所述第二扩散中断图案的上表面高于所述导电结构的下表面，并且所述第二扩散中断图案将所述有源鳍的第二有源鳍分割为沿所述第一方向对齐的多个部分。
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公开(公告)号：CN110797339A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910640800.2
申请日：2019-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一有源图案，所述第一有源图案沿第一方向纵长地延伸；第二有源图案，所述第二有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿所述第一方向与所述第一有源图案间隔开。所述器件还包括位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的场绝缘膜。所述场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面或与所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面共面。所述器件还包括位于隔离沟槽中的元件隔离结构，所述隔离沟槽位于所述第一有源图案和所述场绝缘膜中。所述元件隔离结构的上表面高于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面。
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公开(公告)号：CN110828569B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201910525070.1
申请日：2019-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件和形成半导体器件的方法。半导体器件可以包括包含第一区和第二区的衬底、在第一区上沿第一方向延伸的第一有源鳍、在第二区上与第一有源鳍平行延伸的第二有源鳍、以及在两个第一有源鳍之间的单扩散中断区。单扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开。半导体器件还可以包括在两个第二有源鳍之间并沿不同于第一方向的第二方向延伸的下扩散中断区、以及在下扩散中断区上的上扩散中断区。上扩散中断区可以在第一方向上彼此间隔开，每个上扩散中断区可以重叠下扩散中断区。
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公开(公告)号：CN110620137A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910106711.X
申请日：2019-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种鳍式场效应晶体管包括在衬底上沿第一方向延伸的第一鳍和沿第一方向延伸并在第一方向上与第一鳍间隔开的第二鳍。第三鳍提供有比第一鳍和第二鳍的长边短的长边并设置在第一鳍与第二鳍之间。第一栅极结构沿与第一方向不同的第二方向延伸并横跨第一鳍。器件隔离层设置在第一鳍、第二鳍和第三鳍的每个的下侧壁上并形成为沿第一方向延伸。电绝缘的扩散中断区包括横跨在第一鳍与第三鳍之间的第一部分、横跨在第二鳍与第三鳍之间的第二部分和在第三鳍上设置于第一部分与第二部分之间的第三部分。扩散中断区在器件隔离层上沿第二方向延伸。第三部分的下表面的水平高于第一部分和第二部分的每个的下端的水平且低于第一栅极结构的上表面的水平。
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