公开(公告)号：CN1503272A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310116318.8

申请日：2003-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润相 ,  罗元均

IPC: G11C11/4063 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C11/4087 ,  G11C7/1021 ,  G11C7/1045 ,  G11C8/12 ,  G11C8/14 ,  G11C11/4085

Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器器件，其具有使用户可以改变半导体存储器器件的页长的结构。本发明还涉及用于改变半导体存储器器件的页长的电路和方法，其使得能够选择性地激活存储单元阵列的存储单元阵列块的一个或多个对应的字线(具有相同的行地址)，从而按照指定的操作模式来改变页长。

公开(公告)号：CN100538885C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200310116318.8

申请日：2003-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润相 ,  罗元均

IPC: G11C11/4063 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C11/4087 ,  G11C7/1021 ,  G11C7/1045 ,  G11C8/12 ,  G11C8/14 ,  G11C11/4085

Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器器件，其具有使用户可以改变半导体存储器器件的页长的结构。本发明还涉及用于改变半导体存储器器件的页长的电路和方法，其使得能够选择性地激活存储单元阵列的存储单元阵列块的一个或多个对应的字线(具有相同的行地址)，从而按照指定的操作模式来改变页长。