公开(公告)号：CN111161776B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201910915513.8

申请日：2019-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 比拉·阿哈默德·詹久阿 ,  维韦克·文卡塔·克耶古 ,  朴俊泓 ,  李埈圭 ,  朴智薰

IPC: G11C13/00

Abstract: 公开非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置包括存储体和编程电流生成器。存储体包括：存储器单元阵列，包括基于编程电流存储数据的相变存储器单元；以及传输元件，通过电流镜像将编程电流传输到存储器单元阵列。编程电流生成器基于参考电流生成编程电流。

公开(公告)号：CN111161776A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201910915513.8

申请日：2019-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 比拉·阿哈默德·詹久阿 ,  维韦克·文卡塔·克耶古 ,  朴俊泓 ,  李埈圭 ,  朴智薰

IPC: G11C13/00

Abstract: 公开非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置包括存储体和编程电流生成器。存储体包括：存储器单元阵列，包括基于编程电流存储数据的相变存储器单元；以及传输元件，通过电流镜像将编程电流传输到存储器单元阵列。编程电流生成器基于参考电流生成编程电流。