公开(公告)号：CN103797591A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201180073488.5

申请日：2011-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  李进馥 ,  张泰盛 ,  禹锺均

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: 根据本发明的一个方面，提供了用于制造氮化物半导体发光器件的方法和通过该方法制造的氮化物半导体发光器件。所述用于制造氮化物半导体发光器件的方法包括步骤：在衬底上形成第一和第二导电类型氮化物半导体层以形成在第一与第二导电类型氮化物半导体层之间包括有源层的发光结构；顺序地形成第一导电类型氮化物半导体层、有源层和第二导电类型氮化物半导体层；形成连接到第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；在第二导电类型氮化物半导体层上形成光致抗蚀剂膜以暴露第二导电类型氮化物半导体层的一部分；以及在被光致抗蚀剂膜暴露的第二导电类型氮化物半导体层上顺序地形成用作第二电极的反射金属层和阻挡层之后去除光致抗蚀剂膜。