公开(公告)号：CN103035622B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201210380798.8

申请日：2012-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜善远 ,  金致旭 ,  禹贤贞 ,  黄祥俊

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/64 ,  G11C11/4063

CPC classification number: H01L23/642 ,  G11C11/4074 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包括功率噪声降低的电压生成电路的半导体芯片封装件。所述半导体芯片封装件消除和最小化从半导体芯片封装件中的电压生成电路产生的功率噪声，所述半导体芯片封装件包括：集成电路芯片，具有电压生成电路和连接端子，其中，所述电压生成电路接收外部电压以生成用于内部电路的电源电压，所述连接端子连接到所述电压生成电路的输出节点；安装基底，包括电连接到所述连接端子以降低电源电压的功率噪声的噪声消除器，所述安装基底用于安装所述集成电路芯片以将所述集成电路芯片封装为半导体芯片封装件。

公开(公告)号：CN103035622A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210380798.8

申请日：2012-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜善远 ,  金致旭 ,  禹贤贞 ,  黄祥俊

IPC: H01L23/58 ,  H01L23/64 ,  G11C11/4063

CPC classification number: H01L23/642 ,  G11C11/4074 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包括功率噪声降低的电压生成电路的半导体芯片封装件。所述半导体芯片封装件消除和最小化从半导体芯片封装件中的电压生成电路产生的功率噪声，所述半导体芯片封装件包括：集成电路芯片，具有电压生成电路和连接端子，其中，所述电压生成电路接收外部电压以生成用于内部电路的电源电压，所述连接端子连接到所述电压生成电路的输出节点；安装基底，包括电连接到所述连接端子以降低电源电压的功率噪声的噪声消除器，所述安装基底用于安装所述集成电路芯片以将所述集成电路芯片封装为半导体芯片封装件。