公开(公告)号：CN118695611A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410304674.4

申请日：2024-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河大元 ,  李炅奂 ,  禹明勳

IPC: H10B53/30

Abstract: 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：多个存储器单元，各自包括：在垂直方向上布置并且彼此串联连接的第一垂直沟道晶体管(VCT)和第二VCT，所述多个存储器单元分别包括：多个铁电电容器，并联连接到第二VCT并且在垂直方向上布置，其中，所述多个存储器单元在第一水平方向和不同于第一水平方向的第二水平方向上以列和行布置。

公开(公告)号：CN118055621A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202310854193.6

申请日：2023-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢英智 ,  禹钟昊 ,  姜周宪 ,  金劲勳 ,  禹明勳

IPC: H10B63/00

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的栅极图案和绝缘图案；栅极绝缘层，在栅极堆叠结构的侧壁上；沟道层，被栅极绝缘层围绕；源极线，被沟道层围绕；可变电阻层，被沟道层围绕；以及漏极线，被沟道层围绕。