公开(公告)号：CN110931499B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201910869142.4

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黃昌善 ,  石韩松 ,  姜炫求 ,  权炳昊 ,  闵忠基

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括阶梯区域和位于阶梯区域之间的中心区域，上绝缘层位于堆叠结构上，覆盖绝缘层位于堆叠结构的阶梯区域上。覆盖绝缘层包括与上绝缘层相邻的第一上端部分和第二上端部分。上绝缘层位于第一上端部分和第二上端部分之间。第一上端部分相对于基底延伸第一高度，第一高度不同于第二上端部分的相对于基底的第二高度。

公开(公告)号：CN113764428A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110593717.1

申请日：2021-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄昌善 ,  权永振 ,  金己焕 ,  石韩松 ,  殷东锡 ,  林钟欣

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种包括竖直存储器装置的集成电路装置。该集成电路装置包括：衬底，其具有单元区、外围电路区和位于单元区与外围电路区之间的互连区；第一单元堆叠结构和位于第一单元堆叠结构上的第二单元堆叠结构，第一单元堆叠结构和第二单元堆叠结构均包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘层和多个字线结构；以及虚设堆叠结构，其位于与第二单元堆叠结构相同的竖直高度处，并且包括交替地堆叠在外围电路区中的多个虚设绝缘层和多个虚设支承层。

公开(公告)号：CN112786616A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011183633.2

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石韩松 ,  闵忠基 ,  黄昌善 ,  金奇奂 ,  林钟欣

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了半导体装置及其形成方法。该方法可包括形成层叠结构，该层叠结构可包括层叠区域和阶梯区域并且可包括交替地层叠的第一层和第二层。第二层可在阶梯区域中具有阶梯形状，并且阶梯区域可包括至少一个平坦区域和至少一个倾斜阶梯区域。该方法还可包括形成覆盖层叠结构的封盖绝缘层。该封盖绝缘层可包括具有第一上表面的第一封盖区域以及具有在比第一上表面低的水平处的第二上表面的第二封盖区域。该方法还可包括将封盖绝缘层图案化以形成多个突起，然后将封盖绝缘层平坦化，多个突起中的至少一个与阶梯区域交叠。

公开(公告)号：CN110931499A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910869142.4

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黃昌善 ,  石韩松 ,  姜炫求 ,  权炳昊 ,  闵忠基

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括阶梯区域和位于阶梯区域之间的中心区域，上绝缘层位于堆叠结构上，覆盖绝缘层位于堆叠结构的阶梯区域上。覆盖绝缘层包括与上绝缘层相邻的第一上端部分和第二上端部分。上绝缘层位于第一上端部分和第二上端部分之间。第一上端部分相对于基底延伸第一高度，第一高度不同于第二上端部分的相对于基底的第二高度。