公开(公告)号：CN115274390A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210291022.2

申请日：2022-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹贵玹 ,  南象基 ,  徐权相 ,  张圣虎 ,  高廷旼 ,  金南均 ,  金泰铉 ,  白承翰 ,  安昇彬 ,  梁正模 ,  李昌宪 ,  全康民

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体约束环、包括该等离子体约束环的半导体制造设备以及使用该半导体制造设备制造半导体装置的方法。所述等离子体约束环包括下环、在下环上的上环以及延伸以将下环连接到上环的连接环。下环包括在下环的中心处竖直地穿透下环的下中心孔以及在下中心孔外部的区域中穿透下环的至少一个狭缝。狭缝被构造为在更靠近下环的中心的第一部分处比在更远离下环的中心的第二部分处通过更大量的空气或气体。