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公开(公告)号：CN113270415A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110180621.2
申请日：2021-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11526 , H01L27/11531
Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括用于存储数据的存储器单元电容器。存储器单元电容器包括：多个底部电极，其位于衬底上，并且在相对于衬底的顶表面的竖直方向上延伸，多个底部电极在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开；上支撑图案，其位于多个底部电极的上侧表面上；以及下支撑图案，其位于多个底部电极的下侧表面上。下支撑图案设置在衬底与上支撑图案之间，多个底部电极中的第一底部电极包括与下支撑图案的底表面邻近的第一凹部。
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