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公开(公告)号：CN116107492A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211337580.4
申请日：2022-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置及其操作方法。该存储装置包括非易失性存储器和存储控制器，非易失性存储器包括多个存储区域，存储控制器被配置为通过性能路径和至少一个直接路径来控制非易失性存储器，存储控制器包括被配置为存储恢复数据的缓冲存储器，其中，存储控制器响应于断电和在性能路径中检测到故障，通过至少一个直接路径将恢复数据写入到非易失性存储器，性能路径是用于执行写入操作、读取操作和擦除操作的路径，并且至少一个直接路径是仅用于执行写入操作的路径。
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