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公开(公告)号：CN118412341A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202311636626.7
申请日：2023-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L23/522
Abstract: 提供了一种集成电路器件，包括设置在衬底上的下绝缘结构、在垂直方向上穿过下绝缘结构的下布线结构、设置在下绝缘结构上的上绝缘结构、以及在垂直方向上穿过上绝缘结构并接触下布线结构的上布线结构。上布线结构包括上金属插塞和上导电阻挡结构，上导电阻挡结构围绕上金属插塞的侧壁和下表面。上导电阻挡结构包括面向上绝缘结构的侧壁的第一阻挡部分和介于下布线结构和上金属插塞之间的第二阻挡部分。第一阻挡部分和第二阻挡部分具有彼此不同的结构。
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