化学气相沉积设备
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102230167B

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201110220757.8

    申请日:2008-11-20

    Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积设备。所述设备包括反应室、气体引入单元和气体排出单元。气体室包括基座和反应炉,在基座上装载晶片,在反应炉中用化学气相沉积处理晶片。气体引入单元设置在反应室的外壁,以从反应炉外部向反应炉中心部分供应反应气体。气体排出单元设置在反应室的中心部分,以在反应气体被用于在反应炉中的反应之后将反应气体排放到反应室的上面的外部或下面的外部。因此,即使当增加工艺压力以生长高温沉积层时,室内的气体强度也可保持在基本均匀的状态。

    半导体封装件
    3.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115497897A

    公开(公告)日:2022-12-20

    申请号:CN202210628354.5

    申请日:2022-06-06

    Abstract: 公开了半导体封装件。半导体封装件包括位于第一裸片与第二裸片之间的连接端子。第一裸片具有信号区域和外围区域,并且在外围区域上包括第一过孔。第二裸片位于第一裸片上并且在与第一过孔对应的位置上具有第二过孔。连接端子将第二过孔连接到第一过孔。外围区域包括与第一裸片的拐角相邻的第一区域和与第一裸片的侧表面相邻的第二区域。连接端子包括位于第一区域上的第一连接端子和位于第二区域上的第二连接端子。在第一区域上的每单位面积的第一连接端子的面积的总和大于在多个第二区域上的每单位面积的第二连接端子的面积的总和。

    半导体封装
    4.
    发明公开
    半导体封装 审中-实审

    公开(公告)号:CN114446896A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202111279642.6

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 一种半导体封装,包括:具有下半导体衬底和在下半导体衬底的顶表面上的上焊盘的下半导体芯片;堆叠在下半导体芯片上的上半导体芯片,上半导体芯片包括上半导体衬底和在上半导体衬底的底表面上的焊料凸块;以及在下半导体芯片和上半导体芯片之间的固化层,固化层包括与上半导体芯片相邻的第一固化层,以及在第一固化层和下半导体衬底的顶表面之间的第二固化层,第一固化层包括第一光固化剂,第二固化层包括第一热固化剂。

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