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发明公开
半导体存储器件审中-实审

公开(公告)号：CN115274667A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210412399.9

申请日：2022-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 , 金容锡 , 金一权 , 徐亨源 , 柳成原 , 洪截昊

IPC: H01L27/108 , H01L23/64

Abstract: 一种半导体存储器件包括：字线，在衬底上沿垂直方向延伸；半导体图案，在俯视图中具有围绕所述字线延伸的环形水平截面；位线，设置在所述半导体图案的第一端处；以及电容器结构，设置在所述半导体图案的第二端处。所述电容器结构包括下电极层，所述下电极层电连接到所述半导体图案的所述第二端的下电极层、具有环形水平截面并且包括沿所述垂直方向延伸的连接部。第一段从所述连接部的上端沿水平方向延伸，第二段从所述连接部的下端沿所述水平方向延伸。被所述下电极层围绕的上电极层沿所述垂直方向延伸，并且电容器介电层位于所述下电极层与所述上电极层之间。

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