公开(公告)号：CN116487363A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310092437.1

申请日：2023-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔大宪 ,  李在哲 ,  朴柄善 ,  沈昇宰

IPC: H01L23/538 ,  H10B41/27 ,  H10B41/30 ,  H10B43/30 ,  H10B43/27

Abstract: 公开了一种非易失性存储器件，包括具有单元阵列区域和延伸区域的衬底。模制结构包括交替堆叠在衬底上的多个栅电极和多个模制绝缘层，使得模制结构在远离单元阵列区域的方向上具有在延伸区域中向下成阶梯的阶梯形状。沟道结构贯穿单元阵列区域中的模制结构，并且单元接触结构贯穿延伸区域中的模制结构。单元接触结构的一部分与栅电极中的最上面栅电极的一部分接触。单元接触结构包括：第一部分，与栅电极中的最上面栅电极的侧表面接触；以及第二部分，与栅电极中的最上面栅电极的顶表面接触。第一部分的宽度小于第二部分的宽度。

公开(公告)号：CN116615031A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310049127.1

申请日：2023-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈昇宰 ,  朴柄善 ,  李在哲 ,  崔大宪

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B41/41 ,  H10B41/10 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/10

Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置和包括该三维半导体存储器装置的电子系统。该半导体存储器装置可包括：衬底，其包括第一区域和第二区域；多个堆叠件，其包括第一堆叠件和第二堆叠件，每个堆叠件包括衬底上的层间绝缘层和与层间绝缘层交替堆叠的栅电极，并且在第二区域上具有台阶结构；绝缘层，其位于第一堆叠件的台阶结构上；多个竖直沟道结构，其设置在第一区域上以穿透第一堆叠件；以及分离结构，将第一堆叠件和第二堆叠件彼此分离。绝缘层可包括一种或多种掺杂剂，并且绝缘层的掺杂剂浓度可随着距衬底的距离的增加而减小。