公开(公告)号：CN107068821A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610878813.X

申请日：2016-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李建勋 ,  沈恩德 ,  尹晳胡 ,  李庭旭 ,  李焘英 ,  李基元 ,  金喆敏 ,  南泰邦

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/52 ,  H01L33/18

CPC classification number: H01L33/325 ,  H01L33/025 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/52

Abstract: 本文公开了一种材料层堆叠件、一种发光元件、一种发光封装件和一种制造发光元件的方法。所述材料层堆叠件包括：具有第一晶格常数的衬底；以及在衬底上生长的半导体层，所述半导体层具有与第一晶格常数不同的第二晶格常数。通过利用该材料层堆叠件，可获得具有低漏电流、低操作电压和优异的发光效率的发光元件。

公开(公告)号：CN103426992A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310197218.6

申请日：2013-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐钟旭 ,  沈恩德 ,  李相沌 ,  洪玄权

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/22 ,  H01L33/30 ,  H01L33/44

Abstract: 提供了一种半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，由AlxGayIn1-x-yP（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）或AlzGa1-zAs（0≤z≤1）形成；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层包括由(AlvGa1-v)0.5In0.5P（0.7≤v≤1）或AlwIn1-wP（0≤w≤1）形成并且具有凹入和突起的低折射率表面层。