公开(公告)号：CN118540938A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311636590.2

申请日：2023-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圣恩 ,  金珍英 ,  柳成然 ,  丁贤玉 ,  崔世领

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，包括：外围有源图案，其位于衬底上；第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域，该第一外围沟槽区域和该第二外围沟槽区域与外围有源图案相邻；第一隔离衬里，其位于第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域的内表面上；第二隔离衬里，其位于第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域中的第一隔离衬里上；以及器件隔离层，其位于第一外围沟槽区域和第二外围沟槽区域中的第二隔离衬里上。第二外围沟槽区域中的器件隔离层在其中包括接缝。在相对于衬底的与外围有源图案的顶表面相对应的第一高度处，第一外围沟槽区域的宽度大于第二外围沟槽区域的宽度。

公开(公告)号：CN113889455A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110742338.4

申请日：2021-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金惠远 ,  柳成然

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/12

Abstract: 一种半导体器件包括：多个第一导电图案，在基板上在第一方向上平行地延伸；多个第二导电图案，在基板上在与第一方向交叉的第二方向上平行地延伸；多个掩埋接触，在所述多个第一导电图案之间和在所述多个第二导电图案之间连接到基板；以及着陆焊盘，在所述多个掩埋接触上连接到每个掩埋接触。着陆焊盘包括在平面图中在第一方向上延伸的第一侧表面以及在平面图中在第三方向上延伸的第二侧表面。在平面图中，第三方向不同于第一方向和第二方向。

公开(公告)号：CN114068390A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110895452.0

申请日：2021-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳成然 ,  金恩靓

IPC: H01L21/762

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，当执行间隙填充工艺以填充有源图案之间的区域时，支撑图案可以用于固定有源图案的上部，因此，可以防止或减少有源图案弯曲或倒塌的可能性。因此，可以减少半导体器件的故障和/或提高半导体器件的可靠性。